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射釘擊發(fā)器斷路器電容器參數(shù)的選擇
摘 要:斷路器電容器與斷路器的斷口相并聯(lián),用以改善斷口上的電壓散布及下降恢復(fù)電壓的上升率。這篇文章介紹了選擇斷路器電容器的額定電壓和額定電容量的辦法。
我國對(duì)500kV斷路器盡緣水平的劃定值見表2[2]。
由表2可見,500kV斷路器的盡緣水等分為四級(jí),即根柢沖擊水等分為1425、1550和1675kV三級(jí);根柢操作沖擊水等分為1050和1175kV兩級(jí);1min相對(duì)地工頻耐壓分為630、680和740kV三級(jí)。必需注重的是:斷路器斷面實(shí)驗(yàn)電壓比相對(duì)地實(shí)驗(yàn)電壓要高。
在拔取斷路器電容器時(shí),還應(yīng)憑證表2對(duì)盡緣水平進(jìn)行校核。以上述500kV斷路器為例,每一個(gè)斷口的1min工頻實(shí)驗(yàn)電壓為790/2=395kV。每一個(gè)斷口的雷電沖擊實(shí)驗(yàn)電壓最高為(1675+315)/2=995kV。操作沖擊實(shí)驗(yàn)電壓最高為(1050+450)/2=750kV。而由表1可知,額定電壓為180kV的斷路器電容器可以耐受1min工頻實(shí)驗(yàn)電壓為460kV,雷電沖擊電壓為1110kV,操作沖擊電壓為760kV。都年夜于500kV斷路器的照顧的耐受電壓,所以拔取斷路器電容器的額定電壓為180kV能滿意懇求。
3 額定電容量的拔取
當(dāng)斷路器開斷接地時(shí),其結(jié)構(gòu)見圖1,計(jì)較斷口電壓散布的等值電路見圖2。
未并聯(lián)斷路器電容器時(shí):
一般地,Ce和Cc為幾十個(gè)悄然法,相差不年夜,若取Cc=Ce,則U1=2U/3,U2=U/3。第一個(gè)斷口承受的電壓是第二個(gè)斷口的兩倍。
斷口并聯(lián)斷路器電容器C后:
斷路器電容器的電容量C為幾千個(gè)皮法[3],遠(yuǎn)遠(yuǎn)年夜于斷路器斷口電容Cc,是以U1≈0.5U,U2≈0.5U。
可以看出,斷路器加裝斷路器電容器往后,各個(gè)滅弧室(斷口)的電壓散布根柢均勻。
斷路器電壓等第的前進(jìn)可以經(jīng)由進(jìn)程滅弧室(斷口)的串聯(lián)來結(jié)束。串聯(lián)的斷口增加后,要做到電壓徹底均勻分配在每一個(gè)斷口上,需求并聯(lián)電容量很年夜的斷路器電容器,這是很不經(jīng)濟(jì)的。實(shí)習(xí)上,可以容許各斷口電壓之間有必定的區(qū)別,凡是用不均勻系數(shù)n來暗示。所謂不均勻系數(shù)就是指斷口上實(shí)習(xí)承受的電壓與電壓均勻分配時(shí)每個(gè)斷口上承受的電壓的比值[1]。一般r≤1.1。
下面區(qū)別以兩斷口和四斷口斷路器為例,區(qū)別說明若何拔取額定電容量。
(1)兩斷口斷路器
比力式(5)與式(6)可見:U1>U2,即第二個(gè)斷口上的電壓小于0.5U,是以只需計(jì)較第一個(gè)斷口的電壓不均勻系數(shù)即可。
第一個(gè)斷口的不均勻系數(shù)r1滿意:
(2)四斷口斷路器
將兩個(gè)兩斷口斷路器串聯(lián),并且在基地增加一個(gè)支持盡緣子柱,就形成了一個(gè)四斷口斷路器。圖3是四斷口斷路器的等效電路圖。明顯四斷口時(shí)電壓散布比兩斷口時(shí)更不均勻。
為了計(jì)較利便,對(duì)原電路進(jìn)行Δ→Y變換(見圖4),取得等效電路圖(圖5)。
每一個(gè)斷口都并聯(lián)斷路器電容器C后,
憑證履歷,假定Ce1=Ce3=3Cc,Ce2=Cc,Ch=Cc/3。表3中給出了斷路器電容器電容量C改動(dòng)時(shí)各斷口的不均勻系數(shù)r的值。
計(jì)較成效批注,當(dāng)斷路器電容器的電容量C=20Cc時(shí),不均勻系數(shù)已小于1.1,可以滿意均壓的懇求。
若疏忽斷口間的電容Ch,各斷口的不均勻系數(shù)見表4。
這類情況下,當(dāng)斷路器電容器的電容量C=90Cc時(shí),不均勻系數(shù)已小于1.1。
比照表3和表4,可以看出:如果疏忽斷口間的電容Ch,計(jì)較所得的斷路器電容器的電容量要比酌量Ch時(shí)的年夜。
事實(shí)上,斷路器電容器除具有均壓效果以外,還具有下降恢復(fù)電壓上升率的效果。是以國標(biāo)GB/T4787-1996推薦的額定電容值均不小于1000pF,比上述按均壓懇求算得的值要年夜(選用陶瓷電容器時(shí),因?yàn)橹谱髂暌闺娙萘康碾娙萜饔袌?jiān)苦,其電容值一般均為數(shù)百悄然法)。